| 基于Cl2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究 |
| |
| 引用本文： | 唐龙谷,田坤,黄晓峰,蔡娟露,陈维君,龚敏,石瑞英.基于Cl2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究[J].半导体光电,2009,30(3):396-399. |
| |
| 作者姓名： | 唐龙谷 田坤 黄晓峰 蔡娟露 陈维君 龚敏 石瑞英 |
| |
| 作者单位： | 四川大学物理学院,成都610064;微电子技术四川省重点实验室,成都610064;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
| |
| 基金项目： | 中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金，国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究.发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAS时InP侧壁内切,在InP和lnGaAs界面存在侧壁不连续问题.而用Cl2/CH4/H2刻蚀时,两层侧壁是平整连续的,且刻蚀区表面的粗糙度也比较小.分析了两种气体组合的刻蚀机理,对上述实验现象给出了解释.
|
| 关 键 词： | InGaAs InP ICP 多层膜刻蚀 |
Study of Dry Etching InP/InGaAs Based on Cl2-based Gas |
| |
| TANG Long-gu,TIAN Kun,HUANG Xiao-feng,CAI Juan-lu,CHEN Wei-jun,GONG Min,SHI Rui-ying.Study of Dry Etching InP/InGaAs Based on Cl2-based Gas[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(3):396-399. |
| |
| Authors: | TANG Long-gu TIAN Kun HUANG Xiao-feng CAI Juan-lu CHEN Wei-jun GONG Min SHI Rui-ying |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InGaAs InP ICP |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
