| 采用Taguchi方法优化一种带外延层的PPD工艺参数 |
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| 引用本文： | 徐渊,陆河辉,刘诗琪.采用Taguchi方法优化一种带外延层的PPD工艺参数[J].半导体光电,2016,37(1):193-196. |
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| 作者姓名： | 徐渊 陆河辉 刘诗琪 |
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| 作者单位： | 1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室； 2.新南威尔士大学材料科学与工程学院；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室； 2.新南威尔士大学材料科学与工程学院；;1.西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室； 2.新南威尔士大学材料科学与工程学院； |
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| 基金项目： | 国家磁约束核聚变能研究专项基金项目(2011GB112001,2013GB110001);国家“863”计划项目(2014AA032701);国际合作项目(2013DFA51050);国家自然科学基金项目(51271155,51377138);中央高校基本科研基金项目(2682013CX004,SWJTU11ZT31,2682013CX004);四川省自然科学基金项目(2011JY0031,2011JY0130);教育部博士点新教师基金项目(20120184120024) |
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| 摘 要： | 结合水热法和阳极氧化法合成了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构。暗态下的电流-电压曲线表明Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列具有整流效应。相比于纯的TiO2纳米管阵列,Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著的提升:在AM 1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07%增长到0.40%,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区。结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能。 更多还原
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| 关 键 词： | Sb2S3 TiO2纳米管阵列 异质结 表面光电压谱 相位谱 光电性能 |
| 收稿时间： | 5/4/2015 12:00:00 AM |
Process Parameters Optimization of Pinned Photodiode with Epitaxial Layer Using Taguchi Method |
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| Abstract: | Sb2S3/TiO2 nanotube heterojunction arrays were prepared by combining anodization with hydrothermal method. The crystal structure and surface morphology of heterojunction arrays were characterized by field emission scanning electron microscopy (FESEM) and X-ray diffraction (XRD). The dark current-voltage curve of Sb2S3/TiO2 nanotube heterojunction arrays reveals an obvious rectifying behavior. Compared with pure TiO2, improved photoelectrical properties of Sb2S3/TiO2 nanotube heterojunction arrays are obtained. The power conversion efficiency increases from 0.07% to 0.40% under AM1.5 (100mW/cm2). The surface photovoltage response range is extended from 300 to 730nm. The separation and charge transfer process of photo-generated carriers is analyzed by the surface photovoltage and phase spectrums. |
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| Keywords: | Taguchi method epitaxial layer pinned photodiode SILVACO |
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