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1.55 μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计
引用本文:王志燕,贾护军,毛周,李泳锦,成涛,裴晓延,孙哲霖.1.55 μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计[J].半导体光电,2014,35(1):39-42.
作者姓名:王志燕  贾护军  毛周  李泳锦  成涛  裴晓延  孙哲霖
作者单位:西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
基金项目:国家部委基金项目(51323030306).
摘    要:设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。

关 键 词:垂直腔面发射激光器  分布布拉格反射镜  谐振腔  -dB带宽
收稿时间:6/4/2013 12:00:00 AM
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