1.3μm高速PIN光电二极管

综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度，优化设计了GaInAs／InPPIN光电二极管的结构参数，解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术，如高纯、超薄GaInAs／InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等，并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs／InPPIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz，响应度为0．7A／W，暗电流小于5nA。