| 多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究 |
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| 引用本文： | 马楠,邓军,史衍丽,崔碧峰,李晓波,张蕾,沈光地.多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究[J].半导体光电,2008,29(4). |
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| 作者姓名： | 马楠 邓军 史衍丽 崔碧峰 李晓波 张蕾 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,北京光电子实验室,北京,100022;昆明物理研究所,云南,昆明,650023 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响.采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm.在77K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因.
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| 关 键 词： | 多量子阱 红外 衬底减薄 光耦合 |
Substrate Thinning Technology for Multiple Quantum Well Photodetector |
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| MA Nan,DENG Jun,SHI Yan-li,CUI Bi-feng,LI Xiao-bo,ZHANG Lei,SHEN Guang-di.Substrate Thinning Technology for Multiple Quantum Well Photodetector[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(4). |
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| Authors: | MA Nan DENG Jun SHI Yan-li CUI Bi-feng LI Xiao-bo ZHANG Lei SHEN Guang-di |
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