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| 高效率MINP硅太阳电池的研制 | |
| 引用本文： | 刘恩科,贾全喜,朱长纯.高效率MINP硅太阳电池的研制[J].半导体光电,1986(4). |
| 作者姓名： | 刘恩科 贾全喜 朱长纯 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系 (刘恩科，贾全喜)，西安交通大学电子工程系(朱长纯) |
| 摘 要： | 用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。 |
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