|
|||||
|
|
| 液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究 | |
| 引用本文： | 邬祥生,杨易,李允平,唐嫱妹,水海龙.液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究[J].半导体光电,1981(2). |
| 作者姓名： | 邬祥生 杨易 李允平 唐嫱妹 水海龙 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (邬祥生，杨易，李允平，唐嫱妹)，中国科学院上海冶金研究所(水海龙) |
| 摘 要： | 本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0～1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0～1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |