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| GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位 | |
| 引用本文： | 邬祥生,杨易,陈沛然,徐少华,李允平,胡道珊.GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位[J].半导体光电,1981(2). |
| 作者姓名： | 邬祥生 杨易 陈沛然 徐少华 李允平 胡道珊 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (邬祥生，杨易，陈沛然，徐少华，李允平)，中国科学院上海冶金研究所(胡道珊) |
| 摘 要： | 用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—V法测试了部分样品。与制管后发射光谱进行了比较,结果相同。 |
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