| 高速InGaAs光电探测器γ辐照实验研究 |
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| 引用本文： | 樊鹏,付倩,申志辉,唐艳,柳聪,崔大建.高速InGaAs光电探测器γ辐照实验研究[J].半导体光电,2018,39(4):486-489. |
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| 作者姓名： | 樊鹏 付倩 申志辉 唐艳 柳聪 崔大建 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 高速InGaAs光电探测器在天基平台中的应用正逐渐广泛,研究空间辐射环境对高速InGaAs光电探测器性能的影响有着重要意义。采用实时测试法,研究了不同剂量及不同剂量率的γ辐照对高速InGaAs光电探测器响应度、3dB带宽及暗电流特性的影响,通过器件性能实时测试分析发现,器件的暗电流随辐照剂量或剂量率的增加而增大,而响应度、3dB带宽基本不变。
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| 关 键 词： | 高速InGaAs探测器 γ辐照 在线测试 |
| 收稿时间： | 2017/12/28 0:00:00 |
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