| 基于0.35 μm工艺设计的APS CMOS图像传感器 |
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| 引用本文： | 刘宇,王国裕,赵洪信,崔昭华.基于0.35 μm工艺设计的APS CMOS图像传感器[J].半导体光电,2005,26(Z1):45-48. |
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| 作者姓名： | 刘宇 王国裕 赵洪信 崔昭华 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,陕西,西安,710049;中科院半导体所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于CHRT公司0.35 μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块.该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音,并已经通过MPW采用CHRT 0.35 μm salicide 2P4M工艺流片.
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| 关 键 词： | 图像传感器 填充因数 动态数字双采样 FPN 工艺设计 CMOS Image Sensor 图像传感器 Based Implementation Design salicide 噪音 方法 DDDS 双采样 动态数字 模块 控制逻辑 串行接口 阵列扫描 放大器 像素阵列 像素结构 |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)S-0045-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月22日 |
Design and Implementation of APS CMOS Image Sensor Based on 0.35 μm Process |
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| LIU Yu,WANG Guo-yu,ZHAO Hong-xin,CUI Zhao-hua.Design and Implementation of APS CMOS Image Sensor Based on 0.35 μm Process[J].Semiconductor Optoelectronics,2005,26(Z1):45-48. |
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| Authors: | LIU Yu WANG Guo-yu ZHAO Hong-xin CUI Zhao-hua |
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