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| 谐振腔长10μm、正面激射的注入激光器的单纵模振荡 | |
| 引用本文： | H. Soda,程阜民.谐振腔长10μm、正面激射的注入激光器的单纵模振荡[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | H. Soda 程阜民 |
| 作者单位： | 日本东京工学院 |
| 摘 要： | 我们已经研制成振荡波长1.22μm短谐振腔((?)10μm)正面激射的GaInAsP/InP注入激光器,在77K下,阈值电流为160mA。由于吸收区长,电极面积小(φ(?)20μm),侧面无激射现象。直到1.7倍阈值电流时还是单纵模振荡,远场辐射角很小(2Aφ(?)10°)。采用两相熔液的液相外延生长GaInAsP晶片。以n-InP(100)为衬底,连续生长如下四层:n-GaInAsP层(掺Te的1.5μm腐蚀阻挡层)、n-InP层(掺Te、2.5μm)、非掺杂GaInAsP层(2.9μm的有源层)、P-InP |
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