| CCD减薄技术研究 |
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| 引用本文： | 钟四成,邓艳红,陈于伟,汪凌.CCD减薄技术研究[J].半导体光电,2006,27(3):297-299. |
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| 作者姓名： | 钟四成 邓艳红 陈于伟 汪凌 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 正面照射的CCD在蓝光、紫外光区和在微光条件下的响应率低，从而作为主探测器在天文观测和空间导航等领域中的应用受到限制。通过减薄CCD采用背面照射，能大幅度提高其量子效率。研究了一种新的化学／机械减薄技术，采用这种技术可使减薄后CCD器件厚度小于20μm，其量子效率由正面入射时的40％左右提高到背面入射时的80％左右。
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| 关 键 词： | 电荷藕荷器件 减薄 铟柱倒焊 量子效率 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)03-0297-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-01 |
| 修稿时间： | 2006年3月1日 |
CCD Thinned Technique |
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| ZHONG Si-cheng,DENG Yan-hong,CHEN Yu-wei,WANG Lin.CCD Thinned Technique[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(3):297-299. |
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| Authors: | ZHONG Si-cheng DENG Yan-hong CHEN Yu-wei WANG Lin |
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| Affiliation: | Chongqing Optoelectronics Research InsUtute, Chongqing 400060, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | charge-couple device thinning indium bump bonding quantum efficiency |
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