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半导体激光器中的光学灾变
引用本文:程东明,宋晓舒,刘云,王立军,王乐,曹玉莲.半导体激光器中的光学灾变[J].半导体光电,2002,23(2):87-89.
作者姓名:程东明  宋晓舒  刘云  王立军  王乐  曹玉莲
作者单位:1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;2. 中国科学院激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021
摘    要:介绍了用(NH4)2S和P2S5-NH4OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法.重点介绍用氮离子注入形成窗口结构来避免光学灾变.

关 键 词:半导体激光器  光学灾变  氮离子注入  窗口结构
文章编号:1001-5868(2002)02-0087-03
修稿时间:2001年8月27日

Catastrophic Optical Damage in Laser Diode
CHENG Dong-ming ,SONG Xiao-shu ,LIU Yun ,WANG Li-jun ,WANG Le ,CAO Yu-lian.Catastrophic Optical Damage in Laser Diode[J].Semiconductor Optoelectronics,2002,23(2):87-89.
Authors:CHENG Dong-ming  SONG Xiao-shu  LIU Yun  WANG Li-jun  WANG Le  CAO Yu-lian
Affiliation:CHENG Dong-ming 1,SONG Xiao-shu 1,LIU Yun 1,WANG Li-jun 2,WANG Le 1,CAO Yu-lian 1
Abstract:The effect of (NH 4) 2S and P 2S 5-NH 4OH treatment of the facet of the laser diodes on the non-radiative current and catastrophic optical damage (COD) are introduced. The focus is on the window structure by selective N ion implantation which has been applied to overcome the COD.
Keywords:LD  catastrophic optical damage  N ion implantation  window structure
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