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金属/多孔硅/硅结构发光器件输运特性的研究
引用本文:卓敬清,李宏建,夏辉,崔昊杨.金属/多孔硅/硅结构发光器件输运特性的研究[J].半导体光电,2008,29(4).
作者姓名:卓敬清  李宏建  夏辉  崔昊杨
作者单位:1. 中南大学,物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083
2. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,201805
基金项目:国家自然科学基金,湖南省自然科学基金,中南大学校科研和教改项目
摘    要:基于Vlkulov等人对金属/多孔硅/硅结构输运特性的研究,分析了载流子在金属/多孔硅/硅结构中的输运过程,研究了各层中电场强度以及电压的分布,讨论了镜像势在正反向偏压下对金属/多孔硅/硅结构I-V特性的影响.结果表明:金属/多孔硅/硅结构中电流主要受表面态电荷和界面层影响,改变多孔硅层厚度将导致各层中电压的重新分布,不管是正向偏压还是反向偏压,电流随厚度的增加而减小;镜像势在正向偏压时对电流的影响可以忽略,但随反向偏压增大镜像势对电流的影响越来越大.

关 键 词:多孔硅  金属/多孔硅/硅结构  输运特性  镜像势

Transport Characteristics of Light-emitting Devices with Metal/Porous Silicon/Silicon Structure
ZHUO Jing-qing,LI Hong-jian,XIA Hui,CUI Hao-yang.Transport Characteristics of Light-emitting Devices with Metal/Porous Silicon/Silicon Structure[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(4).
Authors:ZHUO Jing-qing  LI Hong-jian  XIA Hui  CUI Hao-yang
Abstract:
Keywords:
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