首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

物理汽相生长并五苯晶体薄膜
引用本文:张素梅,石家纬,刘建军,刘明大,郭树旭,王伟,赵玲,李靖. 物理汽相生长并五苯晶体薄膜[J]. 半导体光电, 2002, 23(6): 418-420. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.06.016
作者姓名:张素梅  石家纬  刘建军  刘明大  郭树旭  王伟  赵玲  李靖
作者单位:吉林大学,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023
基金项目:国家自然科学基金;60176022;
摘    要:用物理汽相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜.用10~30毫克的源生长出20~30 mm2大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)等仪器对并五苯晶体薄膜进行了测试分析.

关 键 词:物理汽相沉积  晶体薄膜  并五苯
文章编号:1001-5868(2002)06-0418-03
修稿时间:2002-06-18

Physical Vapor Growth of Pentacene Crystal Thin Films
ZHANG Su mei,SHI Jia wei,LIU Jian jun,LIU Ming da,GUO Shu xu,WANG Wei,ZHAO Ling,LI Jing. Physical Vapor Growth of Pentacene Crystal Thin Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2002, 23(6): 418-420. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.06.016
Authors:ZHANG Su mei  SHI Jia wei  LIU Jian jun  LIU Ming da  GUO Shu xu  WANG Wei  ZHAO Ling  LI Jing
Abstract:
Keywords:physical vapor deposition  crystal thin film  pentacene
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号