| 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌 |
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| 引用本文： | 魏全香,牛智川.原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌[J].半导体光电,2004,25(2):162-164. |
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| 作者姓名： | 魏全香 牛智川 |
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| 作者单位： | 1. 山西大学物理系,山西,太原,030006
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成.提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制.为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考.
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| 关 键 词： | 分子束外延 原子力显微镜 台阶积累 原子氢 生长 晶面 GaAs 表面形貌特征 Atomic Hydrogen Morphology 实验 表面结构 低维纳米 有序 物理机制 形貌形成 台阶面 解释 简单模型 测试 显微镜 原子力 诱导作用 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)02-0162-03 |
| 修稿时间： | 2003年12月23日 |
GaAs Surfaces Step-like Morphology Formed by Atomic Hydrogen Assisted MBE |
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| WEI Quan-xiang,NIU Zhi-chuan Dept. of Physics,Shanxi Uuiversity,Taiyuan ,CHN, Insitute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing ,CHN.GaAs Surfaces Step-like Morphology Formed by Atomic Hydrogen Assisted MBE[J].Semiconductor Optoelectronics,2004,25(2):162-164. |
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| Authors: | WEI Quan-xiang NIU Zhi-chuan Dept of Physics Shanxi Uuiversity Taiyuan CHN Insitute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing CHN |
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| Affiliation: | WEI Quan-xiang,NIU Zhi-chuan Dept. of Physics,Shanxi Uuiversity,Taiyuan 030006,CHN, Insitute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,CHN |
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| Abstract: | The effects of atomic hydrogen on surface morphology of GaAs epitaxial layers
grown by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. AFM pictures show that atomic
hydrogen leads to the formation of step morphology on GaAs surface. The results provide a
useful experimental reference for the site controlled growth of nanometer-scale structures. |
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| Keywords: | MBE AFM step bunching |
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