| 质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响 |
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| 引用本文： | 李光云,李连生,石华君,邱建华,唐秀花,邬慧娟.质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响[J].半导体光电,1981(2). |
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| 作者姓名： | 李光云 李连生 石华君 邱建华 唐秀花 邬慧娟 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所
(李光云，李连生，石华君，邱建华，唐秀花)，中国科学院上海冶金研究所(邬慧娟) |
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| 摘 要： | DHL是用连续液相外延法在重掺杂n-_GaAs衬底上生长双异质结构外延层。在600℃下用ZnAs_2作源低温Zn扩散45分钟。用钨丝网掩蔽后,在150千电子伏的能量下,以1×101~(15)质子/厘米~2的剂量进行轰击。P面蒸发Cr-Au后再镀上～10μm的Au。衬底减薄后,在N面蒸发Au—Ge-Ni、450℃合金化一分半钟后再镀上～2μm的Au。管芯解理后,用In焊料倒装在镀Au的管壳铜柱上,DHL的条宽为12μm,腔长为300μm。各外延层组分和欧姆接触等细节列于表1。为了比较质子轰击深度对DHL特性的影响,作者把同一外延片分成两半,编号分别为801和802。801不减薄,802化学减薄掉0.8
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