Zn在AlGaAs和GaAs中的开管扩散

zn在AlGaAs和GaAs中开管箱法扩散这一新方法已经发展起来。在700℃时,Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)(0.1≤X≤0.5)中的扩散深度和质量与常规的闭管扩散工艺相比较,显然新工艺对于精确控制扩散深度和允许的浅扩散而提供了条件。用Van der Pauw方法测量了电阻率和表面载流子浓度。扩散质量受到选择的金属溶剂的影响。研究了金属溶剂的某些变化。这一技术在单片光集成器件中对欧姆接触有所改造。