| GaN基紫外光探测器研究进展 |
| |
| 引用本文： | 徐立国,谢雪松,吕长志,冯士维.GaN基紫外光探测器研究进展[J].半导体光电,2004,25(6):411-416. |
| |
| 作者姓名： | 徐立国 谢雪松 吕长志 冯士维 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
| |
| 摘 要： | 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电探测器的研究新进展.
|
| 关 键 词： | GaN 紫外 探测器 光电二极管 紫外光探测器 研究进展 UV Detectors Semiconductor Progress 研究新进展 紫外光电探测器 历史 发展 性能 结构 半导体 类型 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)06-0411-06 |
| 修稿时间： | 2004年3月16日 |
Research Progress in GaN-based Semiconductor UV Detectors |
| |
| Abstract: | The structures and performances of various types of GaN-based semiconductor UV detectors are introduced as well as the reviews on their development histories. The latest progress in research on GaN-based semiconductor UV detectors are described in detail. |
| |
| Keywords: | GaN UV detector photodiode |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
