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硅PIN光电探测器阵列的串扰分析
引用本文:王巍,武逶,白晨旭,冯其,冯世娟,王振,曹阳.硅PIN光电探测器阵列的串扰分析[J].半导体光电,2013,34(1):12-15.
作者姓名:王巍  武逶  白晨旭  冯其  冯世娟  王振  曹阳
作者单位:重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065
基金项目:重庆市电子产业发展基金项目
摘    要:在利用高密度线性阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件的成像质量.文章对厚度为100μm的背照式PIN光电探测器线性阵列的电串扰特性进行了分析,通过Silvaco TCAD器件仿真软件对阵列的暗电流和光电流进行了仿真,分析了像元间的电串扰特性,同时对比分析了保护环结构对器件的暗电流和电串扰特性的影响.仿真结果表明,保护环结构器件的暗电流和电串扰性能均优于无保护环的结构,在有保护环时PIN器件的串扰是无保护环结构的1/5.

关 键 词:PIN探测器阵列  串扰  保护环
收稿时间:2012/7/24 0:00:00

Analysis on Electrical Crosstalk of Silicon PIN Photodiode Array
WANG Wei,WU Wei,BAI Chenxu,FENG Qi,FENG Shijuan,WANG Zhen and CAO Yang.Analysis on Electrical Crosstalk of Silicon PIN Photodiode Array[J].Semiconductor Optoelectronics,2013,34(1):12-15.
Authors:WANG Wei  WU Wei  BAI Chenxu  FENG Qi  FENG Shijuan  WANG Zhen and CAO Yang
Affiliation:College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN;College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN;College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN;College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN;College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN;College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN;College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,CHN
Abstract:
Keywords:
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