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多分辨率高速线列CMOS图像传感器设计
引用本文:陈世军,李梧萤,王欣,解宁.多分辨率高速线列CMOS图像传感器设计[J].半导体光电,2023,44(2):168-171.
作者姓名:陈世军  李梧萤  王欣  解宁
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083;南通智能感知研究院, 江苏 南通 226009
基金项目:科技部重点研发资助项目(2019YFB2204100).*通信作者:陈世军 E-mail:csj1967@163.com
摘    要:设计并验证了一款可选分辨率、高速1 024线列CMOS图像传感器。为了优化列总线读出速率,芯片采用总线分割技术以减小总线寄生电容,有效提升了信号读出速率。传感器具有4种可选择分辨率功能,使其具有更高的帧频。设计的芯片采用0.5μm标准CMOS工艺成功流片,验证了设计的正确性。测试结果表明:满阱容量为4.76 Me-/像素,动态范围为75 dB;在128分辨率下,帧频能达到36 000 frames/s。

关 键 词:电容反馈跨阻放大器  高速  建立时间  CMOS图像传感器
收稿时间:2022/11/30 0:00:00

Design of a Multiple Resolution and High Speed Linear CMOS Image Sensor
CHEN Shijun,LI Wuying,WANG Xin,XIE Ning.Design of a Multiple Resolution and High Speed Linear CMOS Image Sensor[J].Semiconductor Optoelectronics,2023,44(2):168-171.
Authors:CHEN Shijun  LI Wuying  WANG Xin  XIE Ning
Affiliation:Key Lab.of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics of The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, CHN;Nantong Academy of Intelligent Sensing, Nantong 226009, CHN
Abstract:
Keywords:CTIA  high speed  settling time  CMOS image sensor
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