| InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究 |
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| 引用本文： | 田招兵,张永刚,顾溢,祝向荣,郑燕兰.InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究[J].半导体光电,2008,29(1):60-63. |
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| 作者姓名： | 田招兵 张永刚 顾溢 祝向荣 郑燕兰 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 摘 要： | 通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析.实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件.引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性.
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| 关 键 词： | InGaAs 光伏探测器 焦平面阵列 钝化 气态源分子束外延 |
| 文章编号： | 1001-5868(2008)01-0060-04 |
| 修稿时间： | 2007年7月10日 |
Study on Passivation and Uniformity of InGaAs/InP Photovoltaic Detevtor Arrays |
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| TIAN Zhao-bing,ZHANG Yong-gang,GU Yi,ZHU Xiang-rong,ZHENG Yan-lan.Study on Passivation and Uniformity of InGaAs/InP Photovoltaic Detevtor Arrays[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(1):60-63. |
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| Authors: | TIAN Zhao-bing ZHANG Yong-gang GU Yi ZHU Xiang-rong ZHENG Yan-lan |
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