| ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究 |
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| 引用本文： | 刘秀娟,张燕,李向阳.ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究[J].半导体光电,2015,36(1):20-23. |
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| 作者姓名： | 刘秀娟 张燕 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100039;中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61204134,61106097) |
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| 摘 要： | 采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2.
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| 关 键 词： | GaN/AlGaN 紫外探测器 暗电流 ICPCVD 钝化膜 |
| 收稿时间： | 2014/4/21 0:00:00 |
Study on the ICPCVD-SiNx Passivation of InGaN Ultraviolet Detector |
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| LIU Xiujuan
,
ZHANG Yan
,
LI Xiangyang.Study on the ICPCVD-SiNx Passivation of InGaN Ultraviolet Detector[J].Semiconductor Optoelectronics,2015,36(1):20-23. |
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| Authors: | LIU Xiujuan ZHANG Yan LI Xiangyang |
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| Affiliation: | LIU Xiujuan;ZHANG Yan;LI Xiangyang;State Key Lab.of Transducer Technol.,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences;University of Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/AlGaN ultraviolet detector dark current ICPCVD passivation film |
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