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石墨烯纳米带p-i-n结构太赫兹探测器的设计
引用本文:王祖英,温中泉,袁伟青,高杨.石墨烯纳米带p-i-n结构太赫兹探测器的设计[J].半导体光电,2014,35(6):992-995,999.
作者姓名:王祖英  温中泉  袁伟青  高杨
作者单位:重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室,重庆400044;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900
基金项目:中物院超精密加工技术重点实验室项目(wf2013-392).
摘    要:研究了石墨烯纳米带横向p-i-n结构探测器对太赫兹波的响应特性,基于载流子输运方程和泊松方程,建立了考虑迁移、扩散、生成、复合等载流子运动的太赫兹探测器数学模型。根据该模型,对石墨烯纳米带横向p-i-n结构的太赫兹波响应进行了仿真,获得了反向栅压诱导生成的p-i-n二极管的能带图;进而探讨了纳米带宽度、i区长度及偏置电压对响应电流的影响,分析表明石墨烯纳米带带隙随宽度增大而减小,响应频率减小;i区长度与载流子寿命匹配时响应电流达到峰值;光电流随偏置电压的增大而增大,并趋于饱和。

关 键 词:石墨烯  纳米带  太赫兹  探测器
收稿时间:2014/3/13 0:00:00

Design of a p-i-n Structure Terahertz Detector Based on Graphene Nanoribbons
Abstract:
Keywords:graphene    nanoribbons    terahertz    detector
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