| 多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析 |
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| 引用本文： | 吴文光,范广涵,沈为民,金尚忠,徐时清.多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析[J].半导体光电,2007,28(5):651-654. |
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| 作者姓名： | 吴文光 范广涵 沈为民 金尚忠 徐时清 |
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| 作者单位： | 1. 中国计量学院,信息工程学院光电子系,浙江,杭州,310018
2. 华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631 |
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| 摘 要： | 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL) 的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率) 之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度 多量子阱 VCSELs 速率方程 数值 模拟分析 Rate Equation Simulation Analysis 器件结构 优化 阈值特性 改善 对数关系 端面反射率 腔长 器件参数 阱数 最佳 阈值电流密度 面发射半导体激光器 垂直腔 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）05-0651-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-17 |
Numerical Simulation Analysis of Rate Equation for Multi-quantum Well VCSELs |
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| WU Wen-guang,FAN Guang-han,SHEN Wei-ming,JIN Shang-zhong,XU Shi-qing.Numerical Simulation Analysis of Rate Equation for Multi-quantum Well VCSELs[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(5):651-654. |
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| Authors: | WU Wen-guang FAN Guang-han SHEN Wei-ming JIN Shang-zhong XU Shi-qing |
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| Affiliation: | 1. Department of Optoelectronics, Institute of Information Engineering, China Jiliang University, Hangzhou 310018,CHN; 2. Institute of Optoelectronic Material and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631 ,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VCSEL multi-quantum well threshold current density |
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