| 多孔硅的化学浸蚀制备与表征 |
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| 引用本文： | 黎学明,刘强,郁卫飞,黄亨建.多孔硅的化学浸蚀制备与表征[J].半导体光电,2007,28(5):663-666. |
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| 作者姓名： | 黎学明 刘强 郁卫飞 黄亨建 |
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| 作者单位： | 重庆大学,化学化工学院,重庆,400030;中国工程物理研究院化工材料研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金-中国工程物理研究院(NSAF)联合基金 |
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| 摘 要： | 以不同电阻率的p型单晶硅片为研究对象,通过正交实验对化学浸蚀法制备多孔硅的工艺条件进行优化,采用多种仪器对制备的多孔硅比表面积、膜厚、表面形貌、化学组成及光致发光进行表征.结果表明,p型单晶硅片经化学浸蚀后能够形成多孔硅,其膜厚达到3 μm;延长浸蚀时间,多孔硅比表面积和膜厚呈先增大后减小的趋势,但化学浸蚀时间太长将导致局部区域的多孔硅层坍塌;室温条件下,多孔硅可光致发光,由于孔洞尺寸分布范围较窄,多孔硅发光半峰宽较窄.
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| 关 键 词： | 多孔硅 化学浸蚀 纳米结构材料 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）05-0663-04 |
| 修稿时间： | 2007-03-07 |
Fabrication and Characterization of Porous Silicon Using Chemical Etching Method |
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| LI Xue-ming,LIU Qiang,YU Wei-fei,HUANG Heng-jian.Fabrication and Characterization of Porous Silicon Using Chemical Etching Method[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(5):663-666. |
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| Authors: | LI Xue-ming LIU Qiang YU Wei-fei HUANG Heng-jian |
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| Affiliation: | 1. College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400030, CHN; 2. Institute of Chemical Materials, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon chemical etching nano-structured material photoluminescence |
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