| 直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析 |
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| 引用本文： | 王军,林慧,杨刚,蒋亚东,张有润.直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析[J].半导体光电,2007,28(1):68-71,75. |
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| 作者姓名： | 王军 林慧 杨刚 蒋亚东 张有润 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,光电信息学院,成都,四川,610054 |
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| 摘 要： | 利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%.
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| 关 键 词： | 薄膜 氧化铟锡 正交试验法 直流磁控溅射 直流磁控溅射 薄膜 正交试验分析 DC Magnetron Sputtering Films Orthogonal Experiments 平均透过率 可见光区域 电阻率 沉积温度 真空 退火时间 溅射功率 间距 优化 退火温度 流量比 沉积气压 影响 电光特性 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）01-0068-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-25 |
Analysis of Orthogonal Experiments on ITO Films Prepared by DC Magnetron Sputtering |
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| WANG Jun,LIN Hui,YANG Gang,JIANG Ya-dong,ZHANG You-run.Analysis of Orthogonal Experiments on ITO Films Prepared by DC Magnetron Sputtering[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(1):68-71,75. |
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| Authors: | WANG Jun LIN Hui YANG Gang JIANG Ya-dong ZHANG You-run |
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| Affiliation: | School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | films indium tin oxide(ITO) orthogonal test method DC magnetron sputtering |
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