| 俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响 |
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| 引用本文： | 殷景志,时宝,李龙海,王一丁,杜国同,缪国庆,宋航,蒋红,金亿鑫.俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响[J].半导体光电,2006,27(2):123-127. |
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| 作者姓名： | 殷景志 时宝 李龙海 王一丁 杜国同 缪国庆 宋航 蒋红 金亿鑫 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金
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国家研究发展基金
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中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率.
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| 关 键 词： | InGaAs探测器 探测率 Auger复合 俄歇复合 同质结 InGaAs 探测器 探测率 影响 Detector Recombination 器件结构 优化 结果 材料参数 关系 载流子浓度 温度 材料组分 少子寿命 分析 理论 复合机制 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)02-0123-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-28 |
| 修稿时间： | 2005年7月28日 |
Effect of Auger Recombination on Detectivity of Homojunction InGaAs Detector |
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| YIN Jing-zhi,SHI Bao,LI Long-hai,WANG Yi-ding,DU Guo-tong,MIAO Guo-qing,SONG Hang,JIANG Hong,JIN Yi-xin.Effect of Auger Recombination on Detectivity of Homojunction InGaAs Detector[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(2):123-127. |
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| Authors: | YIN Jing-zhi SHI Bao LI Long-hai WANG Yi-ding DU Guo-tong MIAO Guo-qing SONG Hang JIANG Hong JIN Yi-xin |
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| Affiliation: | 1. College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130023 ,CHN; 2. Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033 ,CHN |
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| Abstract: | By theoretical analysis on InGaAs material, lifetime caused by Auger recombination mechanism is calculated depending on the composition, temperature and carrier concentration. The calculated results show that the Auger recombination mechanism is suppressed by optimizing the material parameters and technologic condition,so that high detectivity could be obtained for InGaAs detector. |
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| Keywords: | InGaAs detector detectivity Auger recombirnation mechanism |
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