| 多层InAs量子点的光致发光研究 |
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| 引用本文： | 孔令民,蔡加法,陈厦平,朱会丽,吴正云,牛智川. 多层InAs量子点的光致发光研究[J]. 半导体光电, 2005, 26(6): 519-522,526 |
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| 作者姓名： | 孔令民 蔡加法 陈厦平 朱会丽 吴正云 牛智川 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱.结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性.实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6 meV,并且发光峰出现红移.原因可能在于InGaAs盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱.
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| 关 键 词： | 多层InAs量子点 光致发光 时间分辨谱 |
| 文章编号： | 1001-5868（2005）06-0519-04 |
| 收稿时间： | 2005--03--15 |
| 修稿时间： | 2005--03--15 |
Photoluminescence of Multilayer InAs Quantum Dots |
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| KONG Ling-min,CAI Jia-fa,CHEN Xia-ping,ZHU Hui-li,WU Zheng-yun,NIU Zhi-chuan. Photoluminescence of Multilayer InAs Quantum Dots[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2005, 26(6): 519-522,526 |
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| Authors: | KONG Ling-min CAI Jia-fa CHEN Xia-ping ZHU Hui-li WU Zheng-yun NIU Zhi-chuan |
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| Affiliation: | 1. Physics Department, Xiamen University, Xiamen 361005, CHN; 2. National Laboratory for Superlattice and Microstrctures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multilayer InAs quantum dots photoluminescence time-resolved spectra |
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