| 双反应源气体HVPE生长α-Ga2O3的仿真优化研究 |
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| 引用本文： | 刘庆东,陈琳,陶志阔,修向前.双反应源气体HVPE生长α-Ga2O3的仿真优化研究[J].半导体光电,2021,42(2):252-258. |
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| 作者姓名： | 刘庆东 陈琳 陶志阔 修向前 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学电子与光学工程学院,南京210023;南京邮电大学电子与光学工程学院,南京210023;南京大学电子科学与工程学院,南京210023;南京大学电子科学与工程学院,南京210023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61574079)；南京邮电大学校级科研基金项目(NY217108).＊通信作者:陈琳E-mail:cl@njupt.edu.cn |
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| 摘 要： | 使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga2O3材料的温度和反应源气流进行了优化.区别于传统的在反应腔内HCl或Cl2携带Ga源的结构,使用了外置Ga源的方法,可以较准确地调整GaCl/GaCl3的组分占比、摩尔分数和浓度.另外,使用分子模拟软件Gaussian计算得到GaCl3与O2反应的活化能,通过实验数据拟合得到α-Ga2O3相变为β-Ga2O3的反应活化能.在此基础上,对生长温度、GaCl/GaCl3的组分占比进行了模拟,并给出了 α-Ga2O3的优化生长条件.
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| 关 键 词： | α-Ga2O3 氢化物气相外延 数值模拟 Gaussian软件 活化能 外置Ga源 生长温度 组分占比 |
| 收稿时间： | 2021/1/5 0:00:00 |
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