| 脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究 |
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| 引用本文： | 董翔,吴志明,许向东,于贺,顾德恩,蒋亚东.脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究[J].半导体光电,2015,36(1):66-70. |
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| 作者姓名： | 董翔 吴志明 许向东 于贺 顾德恩 蒋亚东 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61235006) |
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| 摘 要： | 室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293～368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制.
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| 关 键 词： | 氧化钒 脉冲直流溅射 占空比 电学性质 |
| 收稿时间： | 5/6/2014 12:00:00 AM |
Electrical Properties of VOx Thin Film Deposited by Pulsed DC Reactive Magnetron Sputtering |
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| DONG Xiang
,
WU Zhiming
,
XU Xiangdong
,
YU He
,
GU De'en
,
JIANG Yadong.Electrical Properties of VOx Thin Film Deposited by Pulsed DC Reactive Magnetron Sputtering[J].Semiconductor Optoelectronics,2015,36(1):66-70. |
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| Authors: | DONG Xiang WU Zhiming XU Xiangdong YU He GU De'en JIANG Yadong |
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| Affiliation: | DONG Xiang;WU Zhiming;XU Xiangdong;YU He;GU De’en;JIANG Yadong;State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VOx pulsed DC sputtering duty cycle electrical properties |
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