| 标准CMOS工艺下Si光电探测器的模拟与设计 |
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| 引用本文： | 卞剑涛,陈朝.标准CMOS工艺下Si光电探测器的模拟与设计[J].半导体光电,2006,27(2):128-132. |
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| 作者姓名： | 卞剑涛 陈朝 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器,并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应.0.5μm CMOS工艺条件数值模拟结果显示,在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应度都在0.2A/W以上,尤其是在短波长处效果比一般的探测器要好.还就反向偏压以及CMOS工艺中介质与钝化层等因素对探测器响应度的影响进行了讨论.
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| 关 键 词： | CMOS 光电探测器 硅 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)02-0128-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-04 |
| 修稿时间： | 2005年8月4日 |
Simulation and Design of Si-photodetector in Standard CMOS Process |
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| BIAN Jian-tao,CHEN Chao.Simulation and Design of Si-photodetector in Standard CMOS Process[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(2):128-132. |
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| Authors: | BIAN Jian-tao CHEN Chao |
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| Affiliation: | Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS photodetector silicon |
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