| GaN p-i-n紫外探测器的研制 |
| |
| 引用本文： | 陈江峰,李雪.GaN p-i-n紫外探测器的研制[J].半导体光电,2005,26(6):491-493,498. |
| |
| 作者姓名： | 陈江峰 李雪 |
| |
| 作者单位： | 上海交通大学,微电子学院,上海,200092;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
| |
| 摘 要： | 研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压在2 V左右,零偏动态电阻R0约为1010～1011 Ω,最大峰值响应率在365 nm处为0.18～0.21 A/W,器件的上升响应时间和下降时间分别为2.8和13.4 ns.
|
| 关 键 词： | 紫外探测器 氮化镓 刻蚀 |
| 文章编号： | 1001-5868（2005）06-0491-03 |
| 收稿时间： | 2005--04--21 |
| 修稿时间： | 2005--04--21 |
GaN p-i-n Ultraviolet Detectors |
| |
| CHEN Jiang-feng,LI Xue.GaN p-i-n Ultraviolet Detectors[J].Semiconductor Optoelectronics,2005,26(6):491-493,498. |
| |
| Authors: | CHEN Jiang-feng LI Xue |
| |
| Affiliation: | 1. School of Microelectronics, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200092, CHN ; State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ultraviolet detector GaN etching |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
