| 并四苯晶体的物理气相沉积 |
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| 引用本文： | 刘建军,李永军,刘明大,石家纬,葛翔,纪平,郭树旭,金恩顺. 并四苯晶体的物理气相沉积[J]. 半导体光电, 2001, 22(6): 437-439,442 |
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| 作者姓名： | 刘建军 李永军 刘明大 石家纬 葛翔 纪平 郭树旭 金恩顺 |
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| 作者单位： | [1]吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室，吉林长春130023 [2]吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室，吉林长 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876015; |
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| 摘 要： | 设计了水平沉积系统，物理气相生长了并四苯晶体。仅用10－30mg的源，得到了面积达20mm^2的片状晶体。报道了可重复性的晶体生长条件。测试表明，晶体表面光滑，结构非常有序。
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| 关 键 词： | 并四苯 有机晶体 物理气相沉积 |
| 文章编号： | 1001-5868(2001)06-0437-03 |
Physical Vapor Deposition of Tetracene Crystals |
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| LIU Jian jun,LI Yong jun,LIU Ming da,SHI Jia wei,GE Xiang,JI Ping,GUO Shu xu,JIN En shun. Physical Vapor Deposition of Tetracene Crystals[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2001, 22(6): 437-439,442 |
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| Authors: | LIU Jian jun LI Yong jun LIU Ming da SHI Jia wei GE Xiang JI Ping GUO Shu xu JIN En shun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tetracene organic crystal physical vapor deposition |
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