| 晶硅太阳电池黑斑分析 |
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| 引用本文： | 陈晓玉,刘彤,刘京明,谢辉,赵有文,董志远,马承红,和江变.晶硅太阳电池黑斑分析[J].半导体光电,2017,38(1):21-25. |
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| 作者姓名： | 陈晓玉 刘彤 刘京明 谢辉 赵有文 董志远 马承红 和江变 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;内蒙古日月太阳能科技有限公司,呼和浩特,010111 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61474104, 61504131) |
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| 摘 要： | p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中,部分电池片出现黑斑现象.结合X射线能谱分析(EDS),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能.利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域,发现黑斑处Ca含量较大,并出现Sr、Ge和S等杂质元素.将6个档位的电池片制备成2 cm×2 cm的电池样片,利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE).在460～1 000 nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷.给出了杂质引入的原因以及解决途径,从而显著减小了黑斑片产生的几率.
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| 关 键 词： | EL测试 黑斑 能谱分析 X射线荧光光谱 外量子效率 |
| 收稿时间： | 2016/6/24 0:00:00 |
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