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微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性
引用本文:吕衍秋,王妮丽,庄春泉,韩冰,李向阳,龚海梅.微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性[J].半导体光电,2006,27(5):551-555.
作者姓名:吕衍秋  王妮丽  庄春泉  韩冰  李向阳  龚海梅
作者单位:1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
摘    要:外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.

关 键 词:均匀性  InGaAs  载流子寿命  焦平面阵列  μ-PCD技术  微波反射光电导  衰减法测量  InGaAs  吸收层  均匀性  Layer  Absorbing  Measurement  焦平面探测器  应用  表征  寿命图  快速测量  无损伤  非接触  变化  低温  曲线  变温  结果
文章编号:1001-5868(2006)05-0551-05
收稿时间:2005-12-12
修稿时间:2005年12月12日

Uniformity Measurement of InGaAs Absorbing Layer by μ-PCD
LV Yan-qiu,WANG Ni-li,ZHUANG Chun-quan,HAN Bing,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Uniformity Measurement of InGaAs Absorbing Layer by μ-PCD[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(5):551-555.
Authors:LV Yan-qiu  WANG Ni-li  ZHUANG Chun-quan  HAN Bing  LI Xiang-yang  GONG Hai-mei
Affiliation:1. State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, CHN; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, CHN
Abstract:
Keywords:
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