| 氧分压对射频溅射制备ZTO沟道层的薄膜晶体管器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 施苏恒,岳兰,孟繁新,陈家荣,任达森.氧分压对射频溅射制备ZTO沟道层的薄膜晶体管器件性能的影响[J].半导体光电,2023,44(1):92-97. |
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| 作者姓名： | 施苏恒 岳兰 孟繁新 陈家荣 任达森 |
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| 作者单位： | 贵州民族大学 化学工程学院, 贵阳 550025;贵州民族大学 材料科学与工程学院, 贵阳 550025;中国振华集团永光电子有限公司, 贵阳 550018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(62064001)；贵州省科学技术基金项目(黔科合基础-ZK[2021]一般238)；贵州省教育厅青年科技人才成长项目(黔教合KY字[2017]131)；贵阳市科技计划基金项目(筑科合同[2021]43-2号).通信作者:岳兰,孟繁新.E-mail:yuelan0316@sina.com；mengf11@fudan.edu.cn |
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| 摘 要： | 以锌锡氧化物(ZTO)薄膜作为沟道层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为介质层低温(100℃)制备了顶栅共面结构的薄膜晶体管(TFT),并研究了ZTO沟道层成膜过程中氧分压对器件性能的影响。结果表明,ZTO沟道层具有稳定的非晶结构、较高的可见光透明性(在400~700nm范围内平均透过率大于等于89.61%),且增大氧分压有利于其可见光透明性的提升。霍尔测试结果表明,增大氧分压(由3.5×10-2Pa增大到7.5×10-2Pa)会降低ZTO电子载流子浓度(由4.73×1015cm-3降低到6.11×1012cm-3),致使基于ZTO沟道层TFT器件的能耗降低(表现为关态电流的降低和耗尽型器件阈值电压的正向移动)。此外,增大氧分压还有益于沟道层/介质层界面状态的优化,即亚阈值摆幅减小。
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| 关 键 词： | 薄膜晶体管 锌锡氧化物 氧分压 顶栅结构 低温 |
| 收稿时间： | 2022/11/2 0:00:00 |
Effect of Oxygen Partial Pressure on The Performance of Thin-film Transistors Devices with ZTO Channel Layer Prepared by RF Sputtering |
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| SHI Suheng,YUE Lan,MENG Fanxin,CHEN Jiarong,REN Dasen.Effect of Oxygen Partial Pressure on The Performance of Thin-film Transistors Devices with ZTO Channel Layer Prepared by RF Sputtering[J].Semiconductor Optoelectronics,2023,44(1):92-97. |
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| Authors: | SHI Suheng YUE Lan MENG Fanxin CHEN Jiarong REN Dasen |
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| Affiliation: | School of Chemistry and Chemical Engineering, Guizhou Minzu University, Guiyang 550025, CHN;School of Material Science and Engineering, Guizhou Minzu University, Guiyang 550025, CHN;ZhenHua Group YongGuang Electronics Co., Ltd., Guiyang 550018, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin-film transistors zinc-tin-oxide oxygen partial pressure top-gate configuration low temperature |
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