| 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究 |
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| 引用本文： | 安宁,刘国军,刘超,李占国,刘鹏程,魏志鹏,方玄,马晓辉.2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究[J].半导体光电,2015,36(2):205-208,212. |
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| 作者姓名： | 安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61006039;61370043) |
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| 摘 要： | 为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟.研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力.当条宽为120 μm、腔长为1 000 μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91 mA,斜率效率为0.48 W/A.与压应变量子阱激光器相比,器件性能得到明显的改善.
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| 关 键 词： | InGaAsSb/AlGaAsSb 应变补偿 临界厚度 能带结构 增益 阈值电流 |
| 收稿时间： | 2015/7/10 0:00:00 |
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