| 单型掺杂柱电极的3D硅像素探测器的器件与制造工艺研究 |
| |
| 引用本文： | 明希,殷华湘,孟令款,李俊杰,贾云丛,李贞杰,袁烽,江晓山,刘鹏,陈大鹏.单型掺杂柱电极的3D硅像素探测器的器件与制造工艺研究[J].半导体光电,2015,36(2):197-201. |
| |
| 作者姓名： | 明希 殷华湘 孟令款 李俊杰 贾云丛 李贞杰 袁烽 江晓山 刘鹏 陈大鹏 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院高能物理研究所,北京100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11335010) |
| |
| 摘 要： | 设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺.该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极.通过工业级TCAD仿真对这种结构的电学特性进行了深入研究,阐述了它的技术优势及潜在缺陷.同时研究了制造这种3D硅像素探测器的特殊工艺流程和相关关键工艺,并给出了主要工艺结果.
|
| 关 键 词： | 硅像素探测器 3D硅像素探测器 TCAD仿真 深孔刻蚀 |
| 收稿时间： | 5/7/2014 12:00:00 AM |
Fabrication of 3D-Si Pixel Sensor with Single Type Column Electrode |
| |
| MING Xi;YIN Huaxiang;MENG Lingkuan;LI Junjie;JIA Yuncong;LI Zhenjie;YUAN Feng;JIANG Xiaoshan;LIU Peng;CHEN Dapeng.Fabrication of 3D-Si Pixel Sensor with Single Type Column Electrode[J].Semiconductor Optoelectronics,2015,36(2):197-201. |
| |
| Authors: | MING Xi;YIN Huaxiang;MENG Lingkuan;LI Junjie;JIA Yuncong;LI Zhenjie;YUAN Feng;JIANG Xiaoshan;LIU Peng;CHEN Dapeng |
| |
| Affiliation: | MING Xi;YIN Huaxiang;MENG Lingkuan;LI Junjie;JIA Yuncong;LI Zhenjie;YUAN Feng;JIANG Xiaoshan;LIU Peng;CHEN Dapeng;Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences;Institute of High Energy Physics of Chinese Academy of Sciences; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon pixel sensor 3D detectors TCAD simulation deep trench etching |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
