| ZnO紫外光电阴极制备及激活工艺技术 |
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| 引用本文： | 徐华腾.ZnO紫外光电阴极制备及激活工艺技术[J].电子科技,2011,24(7):148-151. |
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| 作者姓名： | 徐华腾 |
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| 作者单位： | (厦门大学 信息科学与技术学院,福建 厦门 361005) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法,探索ZnO薄膜制备的最佳工艺。研究了氧氩比、基片温度,对晶粒质量的影响,以及表面电阻与溅射时间之间的关系,使薄膜具有高电阻率,并研究了激活前后光暗电流的关系,满足薄膜在紫外探测器领域的应用。
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| 关 键 词： | ZnO光电阴极 ZAO薄膜 磁控溅射法 激活工艺 |
Preparation and Activation Technology of the Zno Ultraviolet Electricity Cathode |
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| XU Huateng.Preparation and Activation Technology of the Zno Ultraviolet Electricity Cathode[J].Electronic Science and Technology,2011,24(7):148-151. |
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| Authors: | XU Huateng |
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| Affiliation: | (College of Information Science and Technology,Xiamen University,Xiamen 361005,China) |
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| Abstract: | ZnO photocathodes show extensive prospect in ultraviolet detection.ZnO is a suitable candidate for the UV optoelectronic device applications at room temperature.The relationship between Cr electrode sputtering time and transparency and surface resistance |
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| Keywords: | ZnO photocathodes ZAO thin film Rfsputtering activation |
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