| CMOS成像器件性能测试方法的研究 |
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| 引用本文： | 尚媛园,张伟功,宋宇,刘卉. CMOS成像器件性能测试方法的研究[J]. 激光与光电子学进展, 2010, 0(5) |
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| 作者姓名： | 尚媛园 张伟功 宋宇 刘卉 |
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| 作者单位： | 首都师范大学信息工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(10603009);;北京市科技新星项目(2008B57)资助课题 |
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| 摘 要： | 针对CMOS成像器件结构的特殊性,发展并提出了像元光子转移技术法测量增益和读出噪声。同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究。最后基于2k×2kCMOS芯片进行了性能测试实验,实验结果也验证了该测试方法的可行性和可靠性。
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| 关 键 词： | CMOS成像器件 读出噪声 增益 量子效率 满阱电荷 |
Research on Evaluation Method of CMOS Imager |
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| Shang Yuanyuan Zhang Weigong Song Yu Liu Hui. Research on Evaluation Method of CMOS Imager[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2010, 0(5) |
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| Authors: | Shang Yuanyuan Zhang Weigong Song Yu Liu Hui |
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| Affiliation: | College of Information Engineering;Capital Normal University;Beijing 100048;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS imager readout noise gain quantum efficiency full well capacity |
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