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CMOS成像器件性能测试方法的研究
引用本文:尚媛园,张伟功,宋宇,刘卉. CMOS成像器件性能测试方法的研究[J]. 激光与光电子学进展, 2010, 0(5)
作者姓名:尚媛园  张伟功  宋宇  刘卉
作者单位:首都师范大学信息工程学院;
基金项目:国家自然科学基金面上项目(10603009);;北京市科技新星项目(2008B57)资助课题
摘    要:针对CMOS成像器件结构的特殊性,发展并提出了像元光子转移技术法测量增益和读出噪声。同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究。最后基于2k×2kCMOS芯片进行了性能测试实验,实验结果也验证了该测试方法的可行性和可靠性。

关 键 词:CMOS成像器件  读出噪声  增益  量子效率  满阱电荷  

Research on Evaluation Method of CMOS Imager
Shang Yuanyuan Zhang Weigong Song Yu Liu Hui. Research on Evaluation Method of CMOS Imager[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2010, 0(5)
Authors:Shang Yuanyuan Zhang Weigong Song Yu Liu Hui
Affiliation:College of Information Engineering;Capital Normal University;Beijing 100048;China
Abstract:
Keywords:CMOS imager  readout noise  gain  quantum efficiency  full well capacity  
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