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应变调制InGaN/GaN多量子阱的光谱漂移研究
引用本文:曹文彧,王文义.应变调制InGaN/GaN多量子阱的光谱漂移研究[J].激光与光电子学进展,2020,57(15):211-215.
作者姓名:曹文彧  王文义
作者单位:湖北文理学院物理与电子工程学院,湖北襄阳441053;湖北文理学院物理与电子工程学院,湖北襄阳441053
基金项目:湖北文理学院教师科研能力培育基金
摘    要:

关 键 词:多量子阱  光致发光  GaN  电致发光
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