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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
应变调制InGaN/GaN多量子阱的光谱漂移研究
引用本文:
曹文彧,王文义.应变调制InGaN/GaN多量子阱的光谱漂移研究[J].激光与光电子学进展,2020,57(15):211-215.
作者姓名:
曹文彧
王文义
作者单位:
湖北文理学院物理与电子工程学院,湖北襄阳441053;湖北文理学院物理与电子工程学院,湖北襄阳441053
基金项目:
湖北文理学院教师科研能力培育基金
摘 要:
关 键 词:
多量子阱
光致发光
GaN
电致发光
本文献已被
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