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| 过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响 | |
| 引用本文： | 李晓婷,赛小锋,汪韬,曹希斌,石刚.过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响[J].激光与光电子学进展,2007,44(6):58-61. |
| 作者姓名： | 李晓婷 赛小锋 汪韬 曹希斌 石刚 |
| 作者单位： | 1. 长安大学理学院,西安710061;中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068 2. 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068 3. 长安大学理学院,西安710061 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 西部之光资助项目 , 长安大学科技处资助项目 |
| 摘 要： | 利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层.通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件. |
| 关 键 词： | GaAs/Ge 过渡层 生长温度 晶体质量 过渡层 GaAs 外延层 晶体质量 影响 Substrate Quality Buffer Layer 生长条件 晶层 太阳能电池 优化 表面形貌 研究 衍射仪 射线 扫描电镜 表征 生长温度 设备 |
| 收稿时间： | 2007/1/11 |
| 修稿时间： | 2007-01-11 |
Effect of Buffer Layer on GaAs Epitaxial Layer Quality on Ge Substrate |
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| LI Xiaoting,SAI Xiaofeng,WANG Tao,CAO Xibing,SHI Gang.Effect of Buffer Layer on GaAs Epitaxial Layer Quality on Ge Substrate[J].Laser & Optoelectronics Progress,2007,44(6):58-61. | |
| Authors: | LI Xiaoting SAI Xiaofeng WANG Tao CAO Xibing SHI Gang |
| Abstract: | GaAs epitaxial layer was grown on Ge substrate by low pressure metal organic chemical vapor deposition method. GaAs epitaxial layer was charactorized by changing the growth temperature of GaAs buffer layer. The surface morphology and crystal quality of the epitaxial layer were studied by using scanning electronic microscope(SEM) and X-ray diffractometer. The growth condition of high crystal quality GaAs for high efficiency solar cell is optimized. |
| Keywords: | GaAs/Ge buffer layer growth temperature crystal quality |
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