| 图形化蓝宝石衬底技术综述 |
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| 引用本文： | 汪明刚,杨威风,胡冬冬,李超波,夏洋.图形化蓝宝石衬底技术综述[J].激光与光电子学进展,2012(8):35-43. |
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| 作者姓名： | 汪明刚 杨威风 胡冬冬 李超波 夏洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(2009ZX02037)资助课题 |
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| 摘 要： | 采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。
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| 关 键 词： | 材料 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 内量子效率 GaN外延生长 光析出率 |
Patterned Sapphire Substrate Technique:A Review |
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| Wang Minggang Yang Weifeng Hu Dongdong Li Chaobo Xia Yang.Patterned Sapphire Substrate Technique:A Review[J].Laser & Optoelectronics Progress,2012(8):35-43. |
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| Authors: | Wang Minggang Yang Weifeng Hu Dongdong Li Chaobo Xia Yang |
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| Affiliation: | Wang Minggang Yang Weifeng Hu Dongdong Li Chaobo Xia Yang(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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