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| 垂直腔面发射激光器中位错形成及扩展特性分析 | |
| 引用本文： | 张玉岐,左致远,赵佳.垂直腔面发射激光器中位错形成及扩展特性分析[J].激光与光电子学进展,2023(5):162-170. |
| 作者姓名： | 张玉岐 左致远 赵佳 |
| 作者单位： | 1. 山东大学信息科学与工程学院激光与红外系统集成技术教育部重点实验室;2. 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划（2018YFA0209001,2018YFA0209002,2018YFB2200700）； |
| 摘 要： | 垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有成本低、速率高、功耗低和易于集成等优点，在短距离数据通信等领域具有广泛的应用。随着使用寿命、失效率等要求的不断提高以及器件应用需求的不断增大，VCSEL的可靠性受到了人们的广泛关注。研究发现，VCSEL失效的主要原因与位错的产生和扩展有关。为了提高器件的可靠性，对VCSEL内位错形成的原因进行分析，并系统介绍了位错扩展的动态特性和内在机理。 |
| 关 键 词： | 激光器 垂直腔面发射激光器 可靠性 位错 形成原因 扩展特性 |