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| 半导体照明关键技术研究 | |
| 引用本文： | 罗毅,张贤鹏,韩彦军,钱可元.半导体照明关键技术研究[J].激光与光电子学进展,2007,44(3):17-28. |
| 作者姓名： | 罗毅 张贤鹏 韩彦军 钱可元 |
| 作者单位： | 1. 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,深圳,518057 2. 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 3. 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,深圳,518057 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 北京市科委重大计划 |
| 摘 要： | 以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200 lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间.从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向. |
| 关 键 词： | 半导体照明 氮化镓 发光二极管 流明效率 热阻 非成像光学 半导体 照明光源 技术研究 Solid State 方向 国家重点实验室 集成光电子学 清华大学 系统应用 器件封装 制作 管芯 材料外延 发展空间 目标 路线图 流明效率 前景 核心 发光二极管 |
| 收稿时间： | 2007/1/5 |
| 修稿时间： | 2007-01-05 |
Key Technologies for Solid State Lighting |
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| LUO Yi,ZHANG Xianpeng,HAN Yanjun,QIAN Keyuan.Key Technologies for Solid State Lighting[J].Laser & Optoelectronics Progress,2007,44(3):17-28. | |
| Authors: | LUO Yi ZHANG Xianpeng HAN Yanjun QIAN Keyuan |
| Affiliation: | 1 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084 ;2 Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University, Shonzhen 518057 |
| Abstract: | Solid state lighting based on gallium nitrides high power light emitting diodes has brought forth a wide application prospect. But there is still a huge gap between the present performance of the solid state lighting source and the roadmap target (200 lm/W). The latest technology developments of solid state lighting were reviewed from material epitaxy, chip fabrication process, device package and system application design, which also included the study results from state key laboratory on integrated optoelectronics, Tsinghua University, and the future trend was also discussed. |
| Keywords: | solid state lighting gallium nitrides lighting emitting diodes lumen efficiency thermal resistance nonimaging optics |
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