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| 垂直腔面发射激光器和CMOS电路的倒装晶片粘合 | |
| 引用本文： | 从征.垂直腔面发射激光器和CMOS电路的倒装晶片粘合[J].激光与光电子学进展,1999(11). |
| 作者姓名： | 从征 |
| 摘 要： | 为了光电子器件和互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）电路的进一步集成，贝尔实验室－朗讯技术公司的研究人员已演示他们称为能实现每激光器每秒千兆比特性能的第一个倒装晶片粘合ＣＭＯＳ／垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）列阵。研究人员把他们以前的砷化镓多量子阱调制列阵的倒装晶片粘合到ＣＭＯＳ电路上。实验器件是在９７０ｎｍ波长工作的２×１０底部垂直腔面发射激光列阵，９７０ｎｍ波长可透过Ⅲ－Ⅴ族衬底。试验证明，室温时激光器的阈值电压为１．４～１．５Ｖ，阈值电流为０．９～１．０ｍＡ，两者都在商品化ＣＭＯＳ器件的驱动… |
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