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| InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化 | |
| 引用本文： | 邱伟彬,董杰,朱洪亮,周帆,王圩.InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化[J].激光与光电子学进展,2001(9):56-56. |
| 作者姓名： | 邱伟彬 董杰 朱洪亮 周帆 王圩 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心, |
| 摘 要： | 利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12) |
| 关 键 词： | 外延生长 InGaAsP材料 厚度增强因子 MOVPE生长 |
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