| 3 mm 频段InP HEMT 低噪声器件研究 |
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| 引用本文： | 廖龙忠,张力江,孙希国,崔玉兴,付兴昌.3 mm 频段InP HEMT 低噪声器件研究[J].电子工艺技术,2015(4). |
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| 作者姓名： | 廖龙忠 张力江 孙希国 崔玉兴 付兴昌 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 通过优化设计材料纵向结构，得到了满足3 mm频段工作的InP外延材料结构，最终采用外延工艺制作了InP外延材料。设计了3 mm频段InP HEMT器件横向结构，确定合适源漏间距和单指栅宽，基于InP外延材料采用自主研发流片工艺，优化了欧姆接触工艺，最终制作成功3 mm频段InP HEMT低噪声器件。测试结果表明，在频率为75～110 GHz，Uds为1.2 V，Ugs为-0.1 V时，InP HEMT单胞器件最大增益大于9 dB，噪声系数1.2 dB。
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| 关 键 词： | 3 mm频段 寄生电阻 低噪声 InP HEMT 增益 |
Research on InP HEMT Low Noise Device for 3 mm Frequency Band |
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| LIAO Long-zhong,ZHANG Li-jiang,SUN Xi-guo,CUI Yu-xing,FU Xing-chang.Research on InP HEMT Low Noise Device for 3 mm Frequency Band[J].Electronics Process Technology,2015(4). |
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| Authors: | LIAO Long-zhong ZHANG Li-jiang SUN Xi-guo CUI Yu-xing FU Xing-chang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 3 mm frequency band Parasitic resistance Low noise InP HEMT Gain |
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