| 0.25μm高精度T型栅制作工艺研究 |
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| 引用本文： | 孙希国,崔玉兴,付兴昌.0.25μm高精度T型栅制作工艺研究[J].电子工艺技术,2015(4). |
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| 作者姓名： | 孙希国 崔玉兴 付兴昌 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所,河北 石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 基于双层胶i线光刻工艺，对0.25μm T型栅制作技术进行了优化，采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长，满足了栅长精度要求，通过工艺优化解决了双层胶之间不同胶层间的互溶问题。通过优化制作流程，形成了工艺规范，解决了工艺中存在的一致性及稳定性差的问题，最终采用双层胶工艺制作成功形貌良好的0.25μm高精度T型栅。工艺优化结果表明，与其他0.25μm T型栅制作工艺方法相比，双层胶i线光刻工艺具有制作效率高和精度高的优点，基于其制作的T型栅结构有利于金属淀积和剥离，栅根及栅帽形貌良好，为GaAs及GaN 微波器件及MMIC制作提供了可靠的工艺技术。
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| 关 键 词： | 双层胶 i线 Relacs工艺 光刻 T型栅 |
Study on Process Technology of 0.25μm High Precision T Gate |
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| SUN Xi-guo,CUI Yu-xing,FU Xing-chang.Study on Process Technology of 0.25μm High Precision T Gate[J].Electronics Process Technology,2015(4). |
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| Authors: | SUN Xi-guo CUI Yu-xing FU Xing-chang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Double glue line I-line Relacs process Lithography T type gate |
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